大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于电流转换电压芯片的问题,于是小编就整理了1个相关介绍电流转换电压芯片的解答,让我们一起看看吧。
电子元器件烧毁的本质是过压导致还是过流导致的?
电子元器烧毁的本质是过电压还是过电流导致的。这个问题要分两部分。第一。三极管有PcM最大功耗。分最大电流丨cM。最大集电极和发射极。在开路测得BVceo。这就c,e之间耐压。大功率管用作彩电行管。当电源电压为开关电源输出电压为100伏。行管在逆程产生高压是电源电压的7至10倍。早先国外生产2S或2N当头的大功率。在基极和发射极装有阻尼二极管(二极管正端接发射极,负端接基极)。在开关信号起到续流作用。当逆程高压过高有可能击穿三极管,造成不可逆转损坏。这就第二部分。过电压损坏。还有三极管负载为继电器。带电感负载。当三极管截止时,电感产生反向电势和电源电压叠加。形数倍电压。加在集电极很快损坏三极管。如果线圈并联二极管起到续流保护。三极管、就不会损坏。在开关电源应用三极管,13OO7高反压。作开关管。当开关导通时,电源电压流经L1绕组,集电极至发射极到地。当开关管截止时,L1绕组产生反电势和电源电压叠加在集电极。加尖峰吸收回路。R,c,D,FR2O7快恢复二极管。它的正向电压为0点4伏,反向击穿耐压≥100O伏,它的快恢复时为十几微秒。因此很快通过D,R,c放电,避免集电极在下一个脉冲到来之前,已经将电荷放电。这快恢复电路保护晶体管,不置于未穿。如双向可控硅由T1,T2组成。其控制极G,由双向可控加反向击穿电压。是可逆性的稳压器材。由R,c对双向可控G脚控制。使电源正,负波充分利用。向负载提供电源。它也有电流允许值,其反向击穿耐压有600伏至1OOO伏。合理选择反峰电压。做到经济,节约不使反向击穿。如负载为电感性,也要采取续流二极管保护。上述电路多为过电压击穿。过电流击穿。选型不恰当。如PⅤM功耗太接近负载电流。丨c最大电流接近击穿电流。也会过电流遭到损坏元件。
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因为我搞过可靠性问题,所以可以从可靠性角度谈谈电子元件的损坏和可靠性问题。
一.任何电子元件都有寿命问题。每种电子元件的寿命都有技术规定,通常用电子元件的可靠性指标表示,也就是平均无故障工作时间的倒数。例如,电阻的可靠性指标(可靠性指数)约为10^-6左右,即在100万小时内可能有一个故障。这是指该类电阻在正常工作状态下的可靠性。而正常工作状态是指工作在正常的电压、电流,即正常功率负荷的状态下,发生故障的概率。
其它的电子元件都一样,有自己的无故障工作时间。
二.电子设备的可靠性决定于全部电子元件的总体可靠性的乘积。因此,电子设备的可靠性取决于可靠性最差的那些电子元件。
而且,电子设备的设计中,最大的可靠性问题,往往是过热、过载。这就是题主所说的电压电流的过载问题。
应该说电子元件的正常工作状态是设计时必须遵守的,应该不允许或避免这种情况的发生。
如果有也应该在设计时于以考虑。例如,使用交流电供电的设备,应该允许电源电压在220~240伏之间的变化不影响设备的正常工作。所以,实际上电子元件工作状态都是有所保留的。
三.如果单纯从电压电流考虑,那个因素对电子元件工作可靠性影响最大,这要看电子元件本身的性能,有些电子元件比较耐压,有些电子元件比较耐过流。例如电解电容就不能过压,电阻对电压的承受能力就好些(指在短时间过压的耐受能力大)。半导体器件的耐压就很差,过压就意味着过载,过负荷。
实际上,有功率消耗的电子元件,其工作寿命通常取决于其工作状态下的温升!任何电子元件在过高环境温度下工作都会降低寿命。
到此,以上就是小编对于电流转换电压芯片的问题就介绍到这了,希望介绍关于电流转换电压芯片的1点解答对大家有用。