大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于漂移电流和反向电流的问题，于是小编就整理了4个相关介绍漂移电流和反向电流的解答，让我们一起看看吧。
漂移电流是什么电流他由什么载流子形成其大小与什么有关？
漂移电流是在pn结中,由于p区空穴较多,n'区电子较多,所以电子由n区扩散到p区.p区空穴可以由p区扩散到n区.这样就会形成一个空间电荷区,空间电荷区中p空穴漂移到n区留下带负电的原子核,同理n区有带正电的原子核.两者会形成一个自建电场,在这个自建电场下,空穴电子又会向相反方向做漂移运动.这个漂移运动产生的电流叫漂移电流.
是由这两种载流子形成的.大小与掺杂浓度,外加电势大小和方向,以及温度有关系.
有半导体PN结内电场作用下载流子运动形成的电流称为“漂移”电流。其大小与“结”内电场大小、可供漂移的载流子浓度有关，该内电场越大、可供漂移的载流子浓度越高，其所形成的漂移电流越大。
为什么扩散电流与漂移电流方向相反？
在微电子器件中，一开篇就讲了半导体器件的三个基本方程，泊松方程，输运方程，以及连续性方程。暂且不说泊松方程和连续性方程，在理解输运方程时，有一些细节没弄懂：
输运方程如下：
Jp=pquE-qD*dP/dx;
Jn=nquE+qd*dn/dx;
对于空穴的公式，我是这样理解的，漂移电流和扩散电流方向相反，所以是“相减”，但是在对电子电流密度矢量方程上有些疑惑，我认为电子扩散方向和漂移方向也是相反的，那为什么出现扩散电流和漂移电流“相加”呢。
反向饱和电流和最大反向电流的区别？
IS是最大反向饱和电流，对于同规格二极管来说是一个定值，而IR是反向电流，是加反向电压后产生的漏电流，对于同规格二极管，反向电压在一定范围内增大，反向电流IR也随之增大，是变化值。
最大反向电流它是指整流二极管在最高反向工作电压下工作时，允许通过整流管的反向电流
反向饱和电流：反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。
转移电流是什么意思？
转移电流是指在PN结反向偏置下，少数载流子从一端扩散到另一端的电流。
这个电流是由于在PN结上形成的电场将少数载流子移动，使得它们留下空穴或自由电子，在结反向偏置下形成转移电流。
这个电流的存在会使得PN结的反向电流增加，并且在某些情况下会导致器件失效。
转移电流是一种PN结特有的反向电流，其大小和PN结的温度、材料、几何结构等因素有关。
研究和控制转移电流对于提高器件的性能和稳定性具有重要意义。
1 转移电流是指PN结中扩散电流和漂移电流之间的电子流动。
2 在PN结中，由于施加了电场，电子从n区向p区运动时，除了扩散电流外还会产生漂移电流。
它们共同组成了转移电流。
这种电流的大小与PN结的载流子浓度、空间电荷区宽度、内在电势差等因素有关。
3 转移电流是半导体器件中一个非常重要的因素，它会影响器件的电学特性，如导通电阻、截止频率等。
因此，在半导体器件的设计和制备过程中需要对转移电流进行充分的考虑和调控。
到此，以上就是小编对于漂移电流和反向电流的问题就介绍到这了，希望介绍关于漂移电流和反向电流的4点解答对大家有用。
