大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于mos等效电路图的问题，于是小编就整理了3个相关介绍mos等效电路图的解答，让我们一起看看吧。
mos管等效电阻？
1. MOS管存在等效电阻。
2. MOS管的等效电阻是由其导通时的电阻和截止时的电阻组成，导通时的电阻主要由沟道电阻和扩散电阻构成，截止时的电阻主要由漏极电阻和源极电阻构成。
3. MOS管的等效电阻会影响其工作性能和功耗，因此在设计电路时需要考虑并优化其等效电阻。
等效电阻几个连接起来的电阻所起的作用，可以用一个电阻来代替，这个电阻就是那些电阻的等效电阻。也就是说任何电回路中的电阻，不论有多少只，都可等效为一个电阻来代替。而不影响原回路两端的电压和回路中电流强度的变化。
这个等效电阻，是由多个电阻经过等效串并联公式，计算出等效电阻的大小值。
也可以说，将这一等效电阻代替原有的几个电阻后，对于整个电路的电压和电流量不会产生任何的影响，所以这个电阻就叫做回路中的等效电阻。
mos管gs击穿什么原因？
第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又十分小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少数电荷就可在极间电容上构成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。尽管MOS输入端有抗静电的维护措施，但仍需当心对待，在存储和运送中最好用金属容器或许导电资料包装，不要放在易发生静电高压的化工资料或化纤织物中。拼装、调试时，东西、外表、工作台等均应杰出接地。要避免操作人员的静电搅扰构成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或东西在触摸集成块前最好先接一下地。对器材引线矫直曲折或人工焊接时，运用的设备有必要杰出接地。
第二、MOS电路输入端的维护二极管，其导通时电流容限一般为1mA 在可能呈现过大瞬态输入电流(超越10mA)时，应串接输入维护电阻。而129#在初期设计时没有参加维护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而经过替换一个内部有维护电阻的MOS管应可避免此种失效的发生。还有因为维护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使维护电路失去效果。所以焊接时电烙铁有必要可靠接地，以防漏电击穿器材输入端，一般运用时，可断电后使用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部搅扰使MOS导通，外部搅扰信号对G-S结电容充电，这个细小的电荷能够贮存很长时刻。在实验中G悬空很风险，许多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路搅扰信号就不会直通了，一般能够10~20K。
这个电阻称为栅极电阻。效果1：为场效应管供给偏置电压;效果2：起到泻放电阻的效果(维护栅极G~源极S)。榜首个效果好了解，这儿解释一下第二个效果的原理：维护栅极G~源极S：场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少数的静电就能使他的G-S极间的等效电容两头发生很高的电压，如果不及时把这些少数的静电泻放掉，他两头的高压就有可能使场效应管发生误动作，甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，然后起到了维护场效应管的效果。
mos导通时间一般多少？
导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
1）t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
2）[t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID, Cgs2 迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。
3）[t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
4）[t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
到此，以上就是小编对于mos等效电路图的问题就介绍到这了，希望介绍关于mos等效电路图的3点解答对大家有用。
